美光更新制程工艺：初次引入EUV工艺128GB内存也能
能够说EUV光刻机曾经成为了现正在炙手可热的先辈产物，基于EUV打制的芯片产物也将成为行业的标杆，不外大师日常平凡熟悉的基于EUV光刻打制的芯片为各类处置器，现实上现在DRAM颗粒
能够说EUV光刻机曾经成为了现正在炙手可热的先辈产物，基于EUV打制的芯片产物也将成为行业的标杆，不外大师日常平凡熟悉的基于EUV光刻打制的芯片为各类处置器，现实上现在DRAM颗粒也起头连续引入EUV工艺，以取得愈加超卓的频次以及传输带宽，以满脚AI计较取推理所需的严苛机能需求，目前美光就暗示引入了EUV工艺用于DRAM颗粒的制制，从而让大容量内存也能实现超高频次。
取CPU一样，先辈工艺能够让产物的频次达到一个新的高度，过去高频内存凡是用于支流内存容量，例如16GB以及32GB，而一些面向办事器或者工做坐内存虽然容量很大，可是其频次却并不高，一方面是为了连结内存的不变，还有一方面就是制程工艺没到火候，现在跟着DRAM颗粒工艺制程的提拔，出产兼顾超高频以及大容量内存也就成为了可能。
按照美光本人的说法，目前内存的制制工艺曾经进化到1γnm，取处置器所采用的制程工艺有所分歧的是，内存颗粒的制程工艺凡是都是小步快跑，按照现正在的进度差不多最先辈的制程为10nm，而1γnm就是一个接近10nm工艺的一个工艺，当然除了美光之外，三星以及海力士曾经正在数年之前将EUV工艺进入到DRAM颗粒的制制之中，当然目标就是为了让DRAM颗粒的机能愈加超卓，取上代工艺比拟，1γnm能够实现最高30%的晶体管密度提拔。
